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본 개시물은 멀티-게이트 트랜지스터들, 구조들, 디바이스들, 장치, 시스템들, 및 관련 프로세스들의 구현들을 제공한다. 일 양상에서, 디바이스는 기판 위에 배열된 박막 반도체 층을 포함한다. 드레인과 소스는 반도체 층에 결합된다. 디바이스는 또한, 반도체 층에 인접하고 제 1 제어 신호, 제 2 제어 신호, 및 제 3 제어 신호를 각각 수신하도록 구성되는 제 1 게이트, 제 2 게이트 및 제 3 게이트 모두를 포함한다. 유전체 층들은 이 게이트들을 반도체 층으로부터 그리고 서로로부터 절연시킨다. 제 1 모드에서, 제 1 게이트 전극, 제 2 게이트 전극 및 제 3 게이트 전극은, 전하가 제 2 게이트에 인접한 반도체 층의 영역 내 전위 우물에 저장되도록 구성된다. 제 2 모드에서, 제 1 게이트 전극, 제 2 게이트 전극 및 제 3 게이트 전극은 저장된 전하가 제 3 게이트 전극에 인접한 반도체 층의 영역을 통과하고 소스를 통과하여 로드로 이송되도록 구성된다. |
