トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ

摘要

高いＴＭＲ比、低い書き込み電流を実現し、さらに素子全体の抵抗増大を抑制しつつ、記録層及び固定層の熱安定性指数（Ｅ／ｋBＴ）を高めることで安定した動作が可能になるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。ＣｏＦｅＢからなる記録層２１、固定層２２の少なくとも一方において、トンネルバリア層１０と反対側に導電性酸化物層３１，３２を配置した。