| 摘要 |
<p>活性領域（２７）は、終端構造部（２６）が設けられたチップ外周側の厚さ（ｔ２２）よりも薄い厚さ（ｔ２１）を有するチップ内周側に設けられている。ｎ-ドリフト領域（２）の他方の主面には、ｎフィールドストップ領域（４）、ｐコレクタ領域（１１）およびコレクタ電極（１２）がこの順に設けられている。ｎフィールドストップ領域（４）、ｐコレクタ領域（１１）およびコレクタ電極（１２）は、活性領域（２７）から終端構造部（２６）にわたって設けられている。終端構造部（２６）において、ｎフィールドストップ領域（４）とｐコレクタ領域（１１）との間には、シリコン酸化膜（３）が設けられている。シリコン酸化膜（３）の、ｎ-ドリフト領域（２）の第１主面から第１深さ方向の位置（Ｌ１）は、活性領域（２７）におけるコレクタ電極（１２）の、ｎ-ドリフト領域（２）の第１主面から第１深さ方向の位置（Ｌ２）とほぼ等しい。</p> |
