| 摘要 |
Integrierte Schaltungen werden gekapselt, indem mehrere Halbleiter-Dies auf einem Stützsubstrat platziert werden, wobei jeder einzelne der Halbleiter-Dies mehrere Anschlüsse auf einer dem Stützsubstrat zugewandten Seite besitzt, und die Halbleiter-Dies mit einer Formmasse bedeckt werden, um eine geformte Struktur auszubilden. Das Stützsubstrat wird dann von der geformten Struktur entfernt, um die Seite der Halbleiter-Dies mit den Anschlüssen zu exponieren, und eine Metallumverdrahtungsschicht wird auf der geformten Struktur und in direktem Kontakt mit den Anschlüssen der Halbleiter-Dies und der Formmasse ausgebildet. Die Umverdrahtungsschicht wird ausgebildet, ohne zuerst eine Dielektrikumsschicht auf einer Seite der geformten Struktur mit den Anschlüssen der Halbleiter-Dies auszubilden. Ein entsprechendes geformtes Substrat und individuelle geformte Halbleiter-Packages werden ebenfalls offenbart. |
