Randabschlussstruktur mit Grabenisolationsgebieten

摘要

Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper und eine Randabschlussstruktur. Die Randabschlussstruktur umfasst eine erste Oxidschicht, eine zweite Oxidschicht, ein Halbleitermesagebiet zwischen der ersten Oxidschicht und der zweiten Oxidschicht und ein dotiertes Feldgebiet, das einen ersten Abschnitt in dem Halbleitermesagebiet und einen zweiten Abschnitt in einem Gebiet unterhalb des Halbleitermesagebiets aufweist. Der zweite Abschnitt überlappt die ersten und zweiten Oxidschicht im Gebiet unterhalb des Halbleitermesagebiets.