发明名称 薄膜トランジスタアレイ基板及び液晶表示装置
摘要 <p>本発明は、高速応答化及び高透過率化できる3層電極構造の液晶表示装置等に好適に適用できるとともに、開口率の大きなものとすることができる薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを備える液晶表示装置を提供する。本発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、薄膜トランジスタ素子、ゲートバスライン及びソースバスラインを有する薄膜トランジスタアレイ基板であって、上記薄膜トランジスタアレイ基板は、電極をもち、上記電極は、第1電極及び第2電極を含み、上記第1電極は、ソースバスラインに沿っている線状部分を含み、上記第1電極は、ゲートバスラインに沿っている線状部分を含み、上記ソースバスラインに沿っている線状部分の少なくとも1つは、基板主面を平面視したときに、ゲートバスラインに沿っている線状部分に対して横設され、ゲートバスラインと重畳する位置で薄膜トランジスタ素子のドレイン電極と接続され、上記第2電極は、面状電極である薄膜トランジスタアレイ基板である。</p>
申请公布号 JPWO2013065529(A1) 申请公布日期 2015.04.02
申请号 JP20130541713 申请日期 2012.10.24
申请人 发明人
分类号 G02F1/1343;G02F1/1368 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人
主权项
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