| 摘要 |
<p>本発明に係る薄膜半導体装置（１０）の製造方法は、基板（１）を準備する第１工程と、基板（１）上にゲート電極（２）を形成する第２工程と、ゲート電極（２）上に第１絶縁膜としてゲート絶縁膜（３）を形成する第３工程と、ゲート絶縁膜（３）上に、チャネル層（４）となる非結晶質の半導体薄膜（４ａ）を形成する第４工程と、非結晶質の半導体薄膜（４ａ）上に、第２絶縁膜としてチャネル保護膜（５）を形成する第５工程と、チャネル保護膜（５）にレーザー光を照射することにより、チャネル保護膜（５）の透過率を高くする第６工程と、チャネル層（４）の上方にソース電極（７Ｓ）及びドレイン電極（７Ｄ）を形成する第７工程と、を含む。</p> |
