| 摘要 |
<p>Lateraler Hochvolt-MOS-Feldeffekttransistor mit–einer an ihrer Oberseite eine hochdotierte Sourcediffusionszone (47) eines Drain/Sourceleitungstyps aufweisenden Bulkwanne (43) eines Bulkleitungstyps,–einer an ihrer Oberseite eine hochdotierte Draindiffusionszone (35) des Drain/Sourceleitungstyps aufweisenden Drainextension (31) des Drain/Sourceleitungstyps,–einer Isolationsoxidschicht (33, 53), die über der Drainextension (31) zwischen der Sourcediffusionszone (47) und der Draindiffusionszone (35) gebildet ist, und–einer Polysiliziumgateplatte (30, 40), die überlappend über Gateoxid (33) zwischen der Sourcediffusionszone (47) und der Isolationsoxidschicht (53) liegt und die Isolationsoxidschicht (53) an deren zur Sourcediffusionszone (47) weisenden Seite überlappt, dadurch gekennzeichnet, dass die Gateplatte (30, 40) eine Unterbrechung (44) in dem Bereich aufweist, wo sich die Polysiliziumgateplatte (30, 40) über dem Gateoxid (33) erstreckt und wo die Bulkwanne (43) und die Drainextension (31) an der Oberseite einander benachbart liegen, und in diesem Bereich eine als Verbindungsbrücke zwischen der Bulkwanne (43) und der Drainextension (31) fungierende Zwischendrainverbindungszone (39) des Drain/Sourceleitungstyps vorgesehen ist.</p> |
