| 摘要 |
薄膜半導体装置（１００）は、ゲート電極（１２０）と、チャネル層（１４０）と、第１非晶質半導体層（１５０）と、チャネル保護層（１６０）と、チャネル層（１４０）の両側面に形成された一対の第２非晶質半導体層（１７１、１７２）と、第２非晶質半導体層（１７１、１７２）を介してチャネル層（１４０）の側面にコンタクトする一対のコンタクト層（１８１、１８２）とを備え、ゲート電極（１２０）、チャネル層（１４０）、第１非晶質半導体層（１５０）、及びチャネル保護層（１６０）は、上面視したときに外形輪郭線が一致するように積層され、第１非晶質半導体層（１５０）の局在準位密度は、第２非晶質半導体層（１７１、１７２）の局在準位密度より高く、第２非晶質半導体層（１７１、１７２）のバンドギャップは、第１非晶質半導体層（１５０）のバンドギャップより大きい。 |
