| 发明名称 |
紫外線を用いたコンフォーマルな膜蒸着の方法 |
| 摘要 |
【解決手段】窒化ケイ素（ＳｉＮ）材料、及び、ＳｉＣＮ（ＳｉＮＣとも表記する）膜、ＳｉＯＮ膜及びＳｉＯＮＣ膜などの炭素含有及び／又は酸素含有膜を含む他のケイ素含有膜を基板上に形成する方法を記載する。様々な実施形態において、この方法は、１つ又は複数の反応物質の電磁放射線を用いた活性化を含む。ある実施形態において、たとえば、この方法は、気相アミン共反応物質の紫外線（ＵＶ）活性化を含む。この方法を用いて、約４００℃未満の温度でＳｉＮ膜及びＳｉＣＮ膜などのケイ素含有膜を蒸着することができる。【選択図】図６ |
| 申请公布号 |
JP2015510263(A) |
申请公布日期 |
2015.04.02 |
| 申请号 |
JP20140554825 |
申请日期 |
2013.01.24 |
| 申请人 |
ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮＯＶＥＬＬＵＳ ＳＹＳＴＥＭＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ |
发明人 |
ラボイエ・エイドリアン;バラダラジャン・バドリ;ヘンリー・ジョン;ハウスマン・デニス |
| 分类号 |
H01L21/318;C23C16/42;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/318 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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