薄膜半導体装置及びその製造方法

摘要

ゲート絶縁膜（３）上に形成された半導体層（４）のバンドギャップエネルギーは、１．６ｅＶ以下である。半導体層（４）上に形成された絶縁層（５）は、第１コンタクト開口部（８）よりも外側に配置された第１絶縁層領域（５ａ）と、第２コンタクト開口部（９）よりも外側に配置された第２絶縁層領域（５ｂ）と、を有する。第１絶縁層領域（５ａ）は、ゲート電極（２）の一端部の上方に配置され、第２絶縁層領域（５ｂ）は、ゲート電極（２）の他端部の上方に配置される。