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<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Fotovoltaikzelle. Zunächst wird eine Substratschicht (100) bereitgestellt. Anschließend wird ein Stapel (102) aus einem ersten Schichtverbund (110) und einem zweiten Schichtverbund (115) gebildet. Hierbei weisen der erste Schichtverbund (110) und der zweite Schichtverbund (115) je zumindest zwei Verbundschichten (120, 125, 130) auf. Insbesondere werden hierbei die Verbundschichten (120, 125, 130) auf der Substratschicht (100) epitaktisch aufgewachsen. In einem weiteren Schritt wird eine Abtrennschicht (135) auf eine der Substratschicht (100) gegenüberliegende Seite des Stapels (102) aufgebracht. Diese Seite wird durch eine Verbundoberfläche des zweiten Schichtverbunds (115) gebildet. Die Abtrennschicht (135) ist ausgebildet, um bei einer Temperaturänderung eine mechanische Spannung in einer dem zweiten Schichtverbund (115) zugewandten Verbundschicht (130) des ersten Schichtverbunds (110) und/oder in einer dem ersten Schichtverbund (110) zugewandten Verbundschicht des zweiten Schichtverbunds (115) zu erzeugen. Schließlich wird der zweite Schichtverbund (115) von dem ersten Schichtverbund (110) durch eine Temperierung der Abtrennschicht (135) abgetrennt, um das Halbleiterbauelement aus dem zweiten Schichtverbund (115) herzustellen. Hierbei wird die dem zweiten Schichtverbund (115) zugewandte Verbundschicht (130) des ersten Schichtverbunds (110) und/oder die dem ersten Schichtverbund (110) zugewandte Verbundschicht des zweiten Schichtverbunds (115) durch die mechanische Spannung gespalten. Ferner wird hierbei eine der Verbundoberfläche gegenüberliegende weitere Verbundoberfläche des zweiten Schichtverbunds (115) freigelegt.</p> |
