| 摘要 |
薄膜形成方法は、基板を準備する基板準備工程と、基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜に光線を照射して薄膜を結晶化する結晶化工程とを含み、結晶化工程は、基板の端部及び基板を切断する際に切断線が通る領域の少なくとも一方を含む第１薄膜形成領域の薄膜に第１条件の光線を照射することにより、第１薄膜形成領域の薄膜を結晶化して第１結晶性薄膜とする第１結晶化工程と、第１結晶化工程の後に、少なくとも第１薄膜形成領域と異なる領域である第２薄膜形成領域の薄膜に第２条件の光線を照射することにより、第２薄膜形成領域の薄膜を結晶化して第２結晶性薄膜とする第２結晶化工程とを有し、薄膜は、第２条件の光線の光吸収率が第１結晶性薄膜より大きい。 |
