| 摘要 |
LDMOS-Transistor mit – einer in einer Halbleiterschicht (2) des einen Leitungstyps vorgesehenen Bodyzone (4) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, – einer in der Bodyzone (4) gelegenen hochdotierten Sourcezone (6) des einen Leitungstyps, – einer in der Halbleiterschicht (2) im Abstand von der Bodyzone (4) vorgesehenen hochdotierten Drain-Anschlusszone (8) des einen Leitungstyps und – einem Gate (11), zu dem die Bodyzone (4) selbstjustiert ist, wobei – die Bodyzone (4) mit wenigstens einem zusätzlichen Bodybereich (16, 17; 19) versehen ist, der sich unterhalb von der Bodyzone (4) in der Halbleiterschicht (2) befindet und den seitlichen Rand der Bodyzone (4) mindestens in Richtung auf die Drain-Anschlusszone (8) überragt, die Halbleiterschicht (2) über einen buried layer (3) des einen oder anderen Leitungstyps auf einem Halbleitersubstrat (1) vorgesehen ist und der wenigstens eine zusätzliche Bodybereich (16, 17; 19) im Abstand von dem Buried Layer (3) angeordnet ist |
