包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置

摘要

本发明揭露了一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，所述化学处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部，所述立柱装置具有容易更换、耐腐蚀、运动灵活且耐磨的特点。

主权项

一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置，利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理，其特征在于：其包括：包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口，其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部。