发明名称 超低介电常数微波介电陶瓷Li<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>B<sub>3</sub>O<sub>10</sub>及其制备方法
摘要 本发明公开了一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>B<sub>3</sub>O<sub>10</sub>及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、SiO<sub>2</sub>和H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>的原始粉末按Li<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>B<sub>3</sub>O<sub>10</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为无水乙醇,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在800~850℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结良好,介电常数达到5.3~5.8,其品质因数Qf值高达113000-149000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
申请公布号 CN104478408A 申请公布日期 2015.04.01
申请号 CN201410688890.X 申请日期 2014.11.26
申请人 桂林理工大学 发明人 蒋雪雯;李纯纯;苏和平
分类号 C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/01(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷,其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为:Li<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>B<sub>3</sub>O<sub>10</sub>;所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、SiO<sub>2</sub>和H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>的原始粉末按Li<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>B<sub>3</sub>O<sub>10</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为无水乙醇,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在800~850℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。
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