| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102456799B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110301262.8 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金载润;李进馥;黄硕珉;李守烈 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：光发射结构，所述光发射结构中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，布置在所述第一导电半导体层上；绝缘层，布置在所述第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，布置在所述绝缘层上并反射从所述有源层发射的光；第二电极，布置在所述反射单元上；以及透明电极，布置在所述第二导电半导体层上，所述透明电极与所述绝缘层和所述第二电极接触，并且包围所述反射单元的侧表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||