在半导体技术中用于抑制金属闸极间的交叉扩散的方法和设备;METHOD AND APPARATUS FOR SUPPRESSING METAL-GATE CROSS-DIFFUSION IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

摘要

本发明揭示一种反相器，其系包括：一PMOS，该PMOS包括：一P型源极区域，一P型汲极区域，一P通道区域，其系介于该P型源极区域和该P型汲极区域之间，以及一PMOS金属闸极区域；一NMOS，该NMOS包括：一N型源极区域，一N型汲极区域，一N通道区域，其系介于该N型源极区域和该N型汲极区域之间，以及一NMOS金属闸极区域；一绝缘层，其系在该P通道区域和该N通道区域上方，其中该PMOS金属闸极区域和该NMOS金属闸极区域系在该绝缘层上方；以及一闸极接点，其系介于该NMOS金属闸极区域和该PMOS金属闸极区域之间。; a NMOS, comprising: an n-type source region, an n-type drain region, an n-channel region between the n-type source region and the n-type drain region, and a NMOS metal gate region; an insulating layer above the p-channel region and the n-channel region, wherein the PMOS metal gate region and the NMOS metal gate region are above the insulating layer; and a gate contact between the NMOS metal gate region and the PMOS metal gate region.