| 发明名称 |
電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| 摘要 |
<p>【課題】ゲート電流の低減により、耐圧性能と高周波特性の優れた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】リセス構造１０、１１内に埋め込まれたゲート電極９の断面の形状を逆Ｔ字型として、リセス構造内１０、１１のゲート電極９の側壁とチャネル間の空間的距離を大きくする。これにより、ゲート寄生容量の低減効果とゲートリーク電流の低減効果を得ることができる。【選択図】図１</p> |
| 申请公布号 |
JP5695246(B1) |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
JP20140065394 |
申请日期 |
2014.03.27 |
| 申请人 |
日本電信電話株式会社 |
发明人 |
松崎 秀昭 |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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