| 发明名称 | 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势垒层，该势垒层成分为氮化镓铝，生长在氮化铝插入层上；一帽层，其生长在势垒层上；一源极，其制作在帽层上面的一侧；一漏极，其制作在帽层上面的另一侧；一栅极，其制作在帽层上面，源极和漏极之间；该源极、漏极和栅极彼此分开。本发明可以实现降低氮空位浓度，降低背景载流子浓度，获得高阻层。 | ||
| 申请公布号 | CN104485357A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410785415.4 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张烁;马平;郭仕宽;刘波亭;李晋闽;王军喜 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势垒层，该势垒层成分为氮化镓铝，生长在氮化铝插入层上；一帽层，其生长在势垒层上；一源极，其制作在帽层上面的一侧；一漏极，其制作在帽层上面的另一侧；一栅极，其制作在帽层上面，源极和漏极之间；该源极、漏极和栅极彼此分开。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||