发明名称 |
一种降低陶瓷氧化物光学薄膜折射率的方法 |
摘要 |
本发明属于光学薄膜折射率调节技术领域,具体涉及一种降低陶瓷氧化物光学薄膜折射率的方法。本发明通过使用热等向压力作用的方法,实现对光学薄膜折射率减低方向的调整。该方法采用热等静压对光学薄膜进行后处理折射率改性,尤其是针对降低氧化物陶瓷光学薄膜材料的折射率。此方法新颖、操作可行,能够有效实现降低氧化物陶瓷光学薄膜材料的折射率。通过实施上述方法,可以方便有效地降低陶瓷氧化物薄膜的折射率,而且通过对薄膜横向等向加压和加温,保证薄膜折射率调控的横向均匀性。 |
申请公布号 |
CN104483720A |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201410719558.5 |
申请日期 |
2014.12.02 |
申请人 |
中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 |
发明人 |
季一勤;刘华松;姜玉刚;刘丹丹;王利栓;姜承慧 |
分类号 |
G02B1/10(2015.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
G02B1/10(2015.01)I |
代理机构 |
中国兵器工业集团公司专利中心 11011 |
代理人 |
刘东升 |
主权项 |
一种降低陶瓷氧化物光学薄膜折射率的方法,其特征在于,其包括如下步骤:步骤S1:将制备好的陶瓷氧化物薄膜放置在培养皿中;步骤S2:对热等静压的设备内腔进行清理,防止培养皿与薄膜受到污染;步骤S3:将培养皿放置在加热体的支架上,保证将培养皿放置在中间位置;步骤S4:关闭真空腔,检查真空密封性,抽取真空到1~50Pa;步骤S5:向真空室内充入氩气,保证压力20~100Mpa;步骤S6:设置热等静压的工艺参数,温度为200~600℃、升温速率为5℃/min、处理时间为8~24h;步骤S7:热等静压处理完成后,卸载压力与温度,自然降温到室温,取出样品;步骤S8:用椭圆偏振仪测量陶瓷氧化物薄膜的折射率。 |
地址 |
300308 天津市东丽区空港经济开发区中环西路58号 |