| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成一金属层，并在所述金属层上形成一掩膜；采用同步脉冲等离子体蚀刻所述金属层，形成一图案化的金属层并露出所述铜金属互连线。根据本发明，可以减轻蚀刻稀疏的金属线条区与密集的金属线条区之间的金属层时出现的金属线条侧壁负载蚀刻过程所产生的残余物质的问题，更加稳定地完成图形转移的过程。 | ||
| 申请公布号 | CN103094180B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110332816.0 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿;张城龙;胡敏达 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成一金属层，并在所述金属层上形成一掩膜；采用同步脉冲等离子体蚀刻所述金属层，形成一图案化的金属层并露出所述铜金属互连线，所述铜金属互连线位于所述金属层的稀疏的金属线条区与密集的金属线条区之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||