| 发明名称 | 鳍式场效应管的结构及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底；依次形成位于所述基底表面的硅薄膜、硬掩膜层、具有第一开口的图案层和覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口；在所述第二开口内形成应力层，所述应力层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；形成位于所述应力层表面、且位于所述第二开口内的保护层；去除所述图案层；在去除所述图案层之后，形成与所述侧墙相对应的两个子鳍部。本发明实施例还提供了一种采用上述形成方法形成的鳍式场效应管，所述鳍式场效应管的沟道区内的载流子迁移率高，驱动电流大，器件性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN102956701B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201110252702.5 | 申请日期 | 2011.08.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成位于所述基底表面的硅薄膜；形成位于所述硅薄膜的表面的硬掩膜层；形成位于所述硬掩膜层表面的具有第一开口的图案层，所述第一开口定义出鳍部的形状；形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口；在所述第二开口内形成应力层，所述应力层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；形成位于所述应力层表面、且位于所述第二开口内的保护层；去除所述图案层；在去除所述图案层之后，形成与所述侧墙相对应的两个子鳍部。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||