一种剥离制备ITO图形的方法

摘要

本发明涉及一种剥离制备ITO图形的方法，步骤如下：先蒸镀一层厚度高于ITO层的SiO₂层，然后利用光刻胶做掩膜腐蚀出所需的SiO₂图形；去胶之后，在SiO₂层上蒸镀ITO层，利用SiO₂腐蚀液对ITO和SiO₂腐蚀速率差距较大将晶片侧壁SiO₂层腐蚀至微钻，使SiO₂层粘附性变差，然后利用膜剥离SiO₂层的方法得到所需要的ITO图形。本发明的优点在于：避免了湿法腐蚀ITO造成的ITO图形边缘毛刺提高了芯片的漏电良率；N区的ITO无残留，避免由于ITO残留出现N区刻蚀尖峰的现象，提高了芯片的漏电以及ESD良率；本发明所制成的ITO图形边缘整齐，芯片外观质量大大提高。

主权项

一种剥离制备ITO图形的方法，步骤如下：步骤A：在GaN衬底上蒸镀一层SiO₂层；步骤B：将蒸镀SiO₂层后的晶片进行光刻甩胶、曝光、显影，将光刻胶形成所需的图形；步骤C：将步骤B处理后的晶片浸泡在SiO₂腐蚀液中，将未有光刻胶保护的SiO₂层彻底腐蚀干净；步骤D：在步骤C腐蚀后的晶片上蒸镀一层ITO层，ITO层的厚度小于步骤A所蒸镀SiO₂层的厚度；步骤E：将蒸镀ITO层后的晶片浸泡在SiO₂腐蚀液中，腐蚀晶片侧壁裸露的SiO₂层，使SiO₂层内缩2‑5μm宽度；步骤F：将经步骤E处理后的晶片进行膜剥离，然后将晶片浸入步骤E所述的SiO₂腐蚀液中腐蚀10‑20秒，将残留的SiO₂底部薄膜去除，得到ITO图形；步骤B中所述的光刻胶的厚度范围为1.5‑3μm；所述曝光时间为7‑10秒，曝光光强为7‑12mW/cm²；所述显影时间为40‑55秒；光刻胶为正性光刻胶。