间隔层双曝光刻蚀方法

摘要

一种间隔层双曝光刻蚀方法，在有机材料层、半导体基底进行刻蚀前，采用含CF4、Ar、Xe等易形成正离子气体的刻蚀气体对间隔层进行刻蚀，实现对间隔层形貌的修正，在减薄间隔层厚度的同时，将其形貌修正为对称或近似对称的结构，从而避免间隔层引起的刻蚀速率不均匀以及过刻等问题。同时，通过刻对间隔层减薄，也在一定程度上减小了间隔层和有机材料层之间的应力，从而改善刻蚀结构的线边缘粗糙度，提高半导体基底的刻蚀品质。