半导体晶圆以及生产半导体晶圆的方法;A SEMICONDUCTOR WAFER AND A METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR WAFER

摘要

一种半导体晶圆以及一种生产该半导体晶圆的方法。该半导体晶圆包含矽单晶体基材，该矽单晶体基材具有一顶表面和覆盖该顶表面的堆叠层，该堆叠层包含：一覆盖矽单晶体基材的顶表面的AlN成核层，其中该矽单晶体基材的顶表面的晶格取向相对于{111}-平面是取向偏离的，该顶表面的法线相对于<111>-方向、朝向<11-2>-方向的倾斜的角度θ不小于0.3°且不大于6°，该倾斜的方位角公差是±0.1°；以及一覆盖AlN成核并且包含一或多个AlxGa1-xN层的AlGaN缓冲层，其中0<x<1。;111>-direction toward the <11-2>-direction by an angle θ of not less than 0.3° and not more than 6°, the azimuthal tolerance of the inclination being ± 0.1°; and an AlGaN buffer layer which covers the AlN nucleation layer and comprises one or more AlxGa1-xN layers, wherein 0 < x < 1.