发明名称 |
适于高覆写循环数应用之非挥发性记忆体;NON-VOLATILE MEMORY FOR HIGH REWRITE CYCLES APPLICATION |
摘要 |
一种非挥发性记忆体,包含非挥发性记忆体单元之一阵列。每个非挥发性记忆体单元包含形成于一第一井上的一耦合装置,一读取装置,形成于一第二井上且耦接于该耦合装置的一浮接闸极装置,形成于该第二井上的一可程式化装置,及形成于一第三井上且耦接于该浮接闸极装置的一抹除装置。该读取装置、该可程式化装置及该抹除装置系形成于相异之井,以使该非挥发性记忆体单元之一读取操作、一程式化操作及一抹除操作的循环数可分开计数。 |
申请公布号 |
TW201513123 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
TW103131415 |
申请日期 |
2014.09.11 |
申请人 |
力旺电子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC. |
发明人 |
景文澔 CHING, WEN HAO;赖妍心 LAI, YEN HSIN;王世辰 WANG, SHIH CHEN |
分类号 |
G11C16/14(2006.01);G11C16/22(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任戴俊彦 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学园区园区二路47号305室 TW |