发光二极体装置

主权项

一种发光二极体装置，包含：一基板，具有一第一成长表面与一相对应于该第一成长表面的一底面；一介电层，设置于该第一成长表面上，具有复数开口；复数半导体奈米结构，形成于该基板上并突出于该些复数开口；一半导体层，形成于该些半导体奈米结构上，具有实质平行于该底面的一第二成长表面；以及一发光二极体结构，形成于该第二成长表面，包含连续且实质平行于该底面的复数个量子井结构；其中，至少一该些开口具有一第一直径大于等于250奈米且小于等于600奈米，一奈米结构相对应于该至少一个开口，且具有大于该第一直径的一第二直径。