发明名称 |
可植入的纳米传感器 |
摘要 |
可植入的纳米传感器包括被植入到流体导管内的支架。所述支架具有支架的表面中的井。可植入的纳米传感器还包括部署在井中的纳米尺度图案化的传感衬底。纳米尺度图案化的传感衬底当被光学激励信号询问时,产生指示由流体导管承载的流体中的分析物的存在的光学散射响应信号。 |
申请公布号 |
CN104487824A |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201280074961.6 |
申请日期 |
2012.07.29 |
申请人 |
惠普发展公司,有限责任合伙企业 |
发明人 |
S. J. 巴塞洛;Z. 李;A. 金;G. 吉布森 |
分类号 |
G01N21/65(2006.01)I;A61B5/1459(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/65(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
谢攀;徐红燕 |
主权项 |
一种可植入的纳米传感器,包括:被植入到流体导管内的支架,所述支架具有支架的表面中的井;以及部署在井中的纳米尺度图案化的传感衬底,所述纳米尺度图案化的传感衬底当被光学激励信号询问时,产生指示由流体导管承载的流体中的分析物的存在的光学散射响应信号。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |