| 主权项 |
一种用于固态硬盘的闪存控制器，其特征在于包括SRAM控制器、数据缓冲区、寄存器控制器、配置和状态寄存器、子通道控制器、ECC硬件纠错逻辑、检验模块、带外数据处理模块、NAND闪存接口，SRAM控制器连接控制数据缓冲区；SRAM控制器连接ECC硬件纠错逻辑，ECC硬件纠错逻辑连接NAND闪存接口；寄存器控制器连接控制配置和状态寄存器，配置和状态寄存器连接子通道控制器，配置和状态寄存器连接NAND闪存接口；检验模块连接带外数据处理模块，带外数据处理模块连接NAND闪存接口；数据缓冲区为4个4K字节的数据缓冲区；一种用于固态硬盘的闪存控制器通过NAND闪存接口连接至NAND闪存芯片；SRAM控制器是用来对4个数据缓冲区操作用的；4个4K字节的数据缓冲区可以接收来自NAND闪存芯片的SATA控制器的数据，是对NAND闪存芯片操作时的数据缓冲区；ECC硬件纠错逻辑用于对数据缓冲区中的数据做解码校验，纠正数据错误；子通道控制器负责对4个4K字节的数据缓冲区的调度；配置和状态寄存器中配置其支持对NAND闪存芯片的two‑plane操作，调整发送给NAND闪存芯片的微指令，根据不同的NAND闪存芯片调整相应的时序信息；带外数据处理模块用于存放NAND闪存芯片的每一个NAND闪存物理页中对应的映射信息和功能信息；校验模块用于校验带外数据处理模块的信息错误。 |
