半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的金属层；位于所述金属层表面的介质层；位于所述金属层表面、所述介质层内的互连结构；位于所述金属层表面、所述介质层内的空气间隙，所述空气间隙具有上窄下宽的结构。本发明实施例的半导体结构形成方法半导体制程兼容性好，制造过程简单，本发明实施例的半导体结构性能优良。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有金属层；在所述金属层表面形成至少为两个牺牲凸起，所述牺牲凸起的截面为梯形或三角形；形成覆盖所述牺牲凸起的介质层；在所述牺牲凸起之间的介质层内形成暴露出金属层的开口；在所述介质层表面形成填充所述开口的金属薄膜；平坦化所述金属薄膜直至暴露出所述牺牲凸起；去除所述牺牲凸起形成上窄下宽的空气间隙。