发明名称 |
热处理设备及其温度校准方法和装置 |
摘要 |
一种热处理设备的温度校准方法,适于在预定温度,通过测量标准片的校准点和第一点的温度进行温度校准,包括:校准具有第一发射率的标准片的校准点的温度;测量具有第二发射率的标准片的校准点和第一点的第二温度差值,并根据所述第二发射率和所述第二温度差值获得晶圆发射率与温度差值的线性常数;利用具有第三发射率的标准片对晶圆发射率与温度差值的线性关系进行验证,在验证结果超出预设范围时发出报警信号。利用本方法可以正确评估热处理设备的纠偏能力以及在晶圆低发射率时的温度侦测误差,从而避免了由于热处理设备的纠偏能力不足或晶圆的低发射率而影响晶圆的质量。 |
申请公布号 |
CN102738027B |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
CN201110092854.3 |
申请日期 |
2011.04.13 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
任瑞龙;黄柏喻 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;G01K11/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种热处理设备的温度校准方法,适于在预定温度,通过测量标准片的校准点和第一点的温度进行温度校准,所述第一点与标准片中心的距离等于所述校准点与标准片中心的距离,所述第一点的温度高于所述校准点的温度,其特征在于,包括:校准具有第一发射率的标准片的校准点的温度,所述第一发射率不小于0.9;测量具有第二发射率的标准片的校准点和第一点的第二温度差值,并根据所述第二发射率和所述第二温度差值获得关联于晶圆发射率与温度差值的线性常数,所述第二发射率小于所述第一发射率;所述关联于晶圆发射率与温度差值的线性常数根据公式K=(1‑E)/ΔT计算获得,其中,K为线性常数,E为晶圆发射率,以所述第二发射率代入公式计算;ΔT为温度差值,以所述第二温度差值代入公式计算;利用具有第三发射率的标准片对晶圆发射率与温度差值的线性关系进行验证,在验证结果超出预设范围时发出报警信号,所述线性关系关联于所述线性常数;在验证结果未超出预设范围时,基于所述晶圆发射率与所述温度差值的线性关系补偿实际测量得到的晶圆的温度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |