| 发明名称 | 气体阻隔性膜及电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供气体阻隔性能、耐热性优异的气体阻隔性膜和使用了其的耐久性优异的电子器件。本发明在基材上按以下顺序具有通过物理蒸镀法或化学蒸镀法形成了的含有Si和N的第1气体阻隔层和涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成了的第2气体阻隔层，该第2气体阻隔层照射真空紫外线而实施改性处理，在将各自的层的组成用SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>表示时，该第2气体阻隔层的厚度方向中的组成SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>的分布满足由下述(A)规定的条件。(A)该第2气体阻隔层在厚度方向具有50nm以上的0.25≤x≤1.1且0.4≤y≤0.75的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103269851B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201180062272.9 | 申请日期 | 2011.12.01 |
| 申请人 | 柯尼卡美能达株式会社 | 发明人 | 森孝博 |
| 分类号 | B32B9/00(2006.01)I;B05D3/06(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I | 主分类号 | B32B9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 贾成功 |
| 主权项 | 一种气体阻隔性膜，其为在基材上按以下顺序具有通过物理蒸镀法或化学蒸镀法形成了的含有Si和N的第1气体阻隔层和与其邻接而涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液所形成了的第2气体阻隔层；其中，该第2气体阻隔层为照射真空紫外线而实施了改性处理的层，将该第1气体阻隔层及第2气体阻隔层的组成用SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>表示时，该第2气体阻隔层的厚度方向中的组成SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>的分布满足由下述(A)规定的条件：(A)该第2气体阻隔层在厚度方向具有50nm以上的0.25≤x≤1.1且0.4≤y≤0.75的区域。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||