晶化热处理的温度测量方法

摘要

本发明是提供一种晶化热处理时可以直观地得到核化温度和晶化温度的测量方法。晶化热处理的温度测量方法，该方法包括以下步骤：1)对材料加热并得到差热曲线；2)对差热曲线进行一阶微分得到差热一阶微分曲线；3)所述差热曲线的第一吸热峰值温度Ts为核化开始温度；所述差热一阶微分曲线的第二个放热峰开始温度Ts3^*为晶化最低温度。本发明利用差热一阶微分分析方法，可以快速准确地得到晶化热处理时的核化温度、最大核化速率温度和晶化温度；本发明的方法直观快速、容易测量分析得到，而且还能用分析得到的数据进行模拟工艺实验，寻找到最佳的核化和晶化时间，这对材料晶化都有极其重要的指导意义。

主权项

晶化热处理的温度测量方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)对材料加热并得到差热曲线；2)对差热曲线进行一阶微分得到差热一阶微分曲线；3)所述差热曲线的第一吸热峰值温度Ts为核化开始温度；所述差热一阶微分曲线的第二个放热峰开始温度Ts3^*为晶化最低温度。