| 发明名称 |
电阻式记忆体元件;RESISTOR TYPE MEMORY COMPONENET |
| 摘要 |
揭示一种电阻式记忆体元件，包含金属-绝缘层-金属结构，其绝缘层为具有双极性电阻转换特性之吉利丁层。由于吉利丁材料易于取得，不需经薄膜处理并能以可溶液式制程形成，进一步降低电阻式记忆体元件之制造成本。并且，可改善记忆体元件之电性，使元件有较稳定及较佳的电阻转换特性。 |
| 申请公布号 |
TW201513419 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW102133713 |
申请日期 |
2013.09.17 |
| 申请人 |
国立成功大学 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY |
发明人 |
王永和 WANG, YEONG HER;张御琦 CHANG, YU CHI |
| 分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01);C09H1/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
许庆祥 |
| 主权项 |
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| 地址 |
台南市东区大学路1号 TW |
