发明名称 半导体制程用抗蚀剂组成物、使用其的抗蚀剂膜、抗蚀剂涂布空白罩幕、光罩及抗蚀剂图案形成方法以及电子元件的制造方法及电子元件;RESIST COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND RESIST FILM, RESIST COATED BLANK MASK, PHOTOMASK THEREFROM, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 本发明提供一种于形成线宽为50nm以下的极微细的图案时,感度及解析力高、线边缘粗糙度(LER)小、图案形状及经时稳定性优异、逸气产生亦少的半导体制程用抗蚀剂组成物。所述半导体制程用抗蚀剂组成物包括(A)由下述通式(I)所表示的化合物。;所述通式(I)中,R 1 表示烷基、环烷基或芳基,R 2 表示一价的有机基。R 3 ~R 6 分别表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或卤素原子。其中,R 3 与R 4 、R 4 与R 5 、或R 5 与R 6 可键结而形成脂环或芳香环。X表示氧原子或硫原子。;In the formula (I), R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and R 2 represents a monovalent organic group. R 3 to R 6 respectively represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a halogen atom, wherein, R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , or R 5 and R 6 may be bonded to form an alicyclic or aromatic ring. X represents an oxygen atom or a sulfur atom.
申请公布号 TW201512286 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW103124341 申请日期 2014.07.16
申请人 富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 发明人 土村智孝 TSUCHIMURA, TOMOTAKA;崎田享平 SAKITA, KYOUHEI
分类号 C08L57/10(2006.01);C08K5/42(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F1/20(2012.01);G03F1/22(2012.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 C08L57/10(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP