发明名称 |
半导体制程用抗蚀剂组成物、使用其的抗蚀剂膜、抗蚀剂涂布空白罩幕、光罩及抗蚀剂图案形成方法以及电子元件的制造方法及电子元件;RESIST COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS, AND RESIST FILM, RESIST COATED BLANK MASK, PHOTOMASK THEREFROM, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
摘要 |
本发明提供一种于形成线宽为50nm以下的极微细的图案时,感度及解析力高、线边缘粗糙度(LER)小、图案形状及经时稳定性优异、逸气产生亦少的半导体制程用抗蚀剂组成物。所述半导体制程用抗蚀剂组成物包括(A)由下述通式(I)所表示的化合物。;所述通式(I)中,R 1 表示烷基、环烷基或芳基,R 2 表示一价的有机基。R 3 ~R 6 分别表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或卤素原子。其中,R 3 与R 4 、R 4 与R 5 、或R 5 与R 6 可键结而形成脂环或芳香环。X表示氧原子或硫原子。;In the formula (I), R 1 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and R 2 represents a monovalent organic group. R 3 to R 6 respectively represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a halogen atom, wherein, R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , or R 5 and R 6 may be bonded to form an alicyclic or aromatic ring. X represents an oxygen atom or a sulfur atom. |
申请公布号 |
TW201512286 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
TW103124341 |
申请日期 |
2014.07.16 |
申请人 |
富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
土村智孝 TSUCHIMURA, TOMOTAKA;崎田享平 SAKITA, KYOUHEI |
分类号 |
C08L57/10(2006.01);C08K5/42(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F1/20(2012.01);G03F1/22(2012.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C08L57/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |