| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI479653 | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | TW101147961 | 申请日期 | 2012.12.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 |
| 分类号 | H01L29/772;H01L27/088;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/772 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，形成于该第一掺杂区中，并具有相对于该第一导电型的一第二导电型；一第一掺杂电极区，形成于该第一掺杂区中；一第二掺杂电极区，形成于该第二掺杂区中；一第三掺杂电极区，形成于该第二掺杂区中；以及一闸极结构，位于该第一掺杂区和该第二掺杂区上，该闸极结构包括一第一闸极部分和一第二闸极部分，彼此系以一间隙(gap)分隔开。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||