| 发明名称 |
利用高速烧成之膜状导体之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI479510 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW097128382 |
申请日期 |
2008.07.25 |
| 申请人 |
诺利塔克股份有限公司 |
发明人 |
杉村健一;平尾和久 |
| 分类号 |
H01B1/22;H01G4/12;H01B13/00 |
主分类号 |
H01B1/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种膜状导体之制造方法，该方法系：准备一特征为下述者之导体糊：包含有以镍粉末为主成分之导电性金属粉末，及平均粒径10nm~80nm之钛酸钡系陶瓷粉末，相对于前述导电性金属粉末100质量份，前述陶瓷粉末之含量为5~25质量份，对陶瓷生片付与前述准备好之导体糊，并在从室温至最高烧成温度之升温速度为600℃/hr以上，并且前述最高烧成温度为1000℃~1400℃之条件下，将该被付与的导体糊与前述陶瓷生片一起高速烧成，藉此在前述陶瓷生片之烧成物的陶瓷基材上形成膜状导体。
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| 地址 |
日本 |
