沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端

摘要

沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端属于半导体器件技术领域。在现有沟槽超级结半导体器件的超级结终端的超级结拐角终端中，交替排列的P型柱和N型柱呈扇形分布，P型柱和N型柱内的电荷不平衡，致使器件耐压性能不良。本实用新型之沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端由交替排列的P型柱和N型柱构成，其特征在于，构成正交超级结拐角终端的交替排列的P型柱和N型柱其走向在与矩形芯片一个直角边终端的超级结平行的同时，与所述直角边终端相邻的另一个直角边终端的超级结垂直。这种正交形态遵从既存晶向，晶向匹配，能够避免填充空洞的形成。

主权项

一种沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端，由交替排列的P型柱和N型柱构成，其特征在于，构成正交超级结拐角终端的交替排列的P型柱和N型柱其走向在与矩形芯片一个直角边终端的超级结平行的同时，与所述直角边终端相邻的另一个直角边终端的超级结垂直。