一种高压芯片LED结构

摘要

本实用新型提供一种高压芯片LED结构，通过在N型半导体层上设置接触层保护N型半导体层，使其免受刻蚀等离子体损伤的影响，解决了高压芯片的电压问题；并且，在接触层形成之前，同步形成了阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层，在解决了LED芯片光型的同时，提高了LED芯片的可靠性和抗击穿能力。其次，通过动态刻蚀工艺形成隔离槽，解决了常规刻蚀工艺刻蚀均匀性不足导致芯片因短路而失效的问题。再次，在形成最终的钝化保护膜之前，对高压LED芯片的表面及侧壁进行等离子体处理，解决了高压LED芯片开启电压的问题。

主权项

一种高压芯片LED结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的发光半导体层，所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；形成于所述发光半导体层中的若干阶梯型通孔，所述阶梯型通孔包括凹槽以及与所述凹槽连通的隔离槽，所述凹槽暴露所述N型半导体层的表面，所述隔离槽暴露所述衬底的表面，所述凹槽的截面宽度大于所述隔离槽的截面宽度，所述阶梯型通孔将发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层；形成于所述P型半导体层上的阻挡层；形成于所述P型半导体层上并覆盖阻挡层以及形成于所述N型半导体层上的接触层；形成于每个独立发光半导体层的隔离槽内并覆盖相邻的独立发光半导体层的P型半导体层表面的隔离层；形成于每个独立发光半导体层的阻挡层上方的接触层上的第一电极，形成于每个独立发光半导体层的阶梯型通孔内的接触层上的第二电极，部分相邻的独立发光半导体层的第二电极和第一电极电连接形成串联结构；以及形成于所述独立发光半导体层所有暴露的表面上的钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的第一电极和为尾的独立发光半导体层上的第二电极的引线孔。