静电放电防护电路

摘要

一种静电放电防护电路，其用于保护一输出电路在一静电电压产生时免于受到静电的影响，该静电放电防护电路包括：一电压源；一阻断充电单元耦接至该电压源，提供一逆偏以控制该电压源在该静电电压产生时维持零电位；一P型金属氧化物半导体耦接至该阻断充电单元；一第一N型金属氧化物半导体耦接至该P型金属氧化物半导体；一第二N型金属氧化物半导体耦接至该P型金属氧化物半导体以及该第一N型金属氧化物半导体；及一输出单元耦接至该第二N型金属氧化物半导体；其中该静电电压受到该阻断充电单元的影响，不提高该第二N型金属氧化物半导体导通的阻抗。本发明所述的静电放电防护电路，可提高静电放电防护的表现。

主权项

一种静电放电防护电路，其特征在于，用于保护一输出电路在一静电电压产生时免于受到静电的影响，该静电放电防护电路包括：一电压源；一第一P型金属氧化物半导体；一第一N型金属氧化物半导体，耦接至该第一P型金属氧化物半导体；一第二N型金属氧化物半导体，耦接至该第一P型金属氧化物半导体以及该第一N型金属氧化物半导体；一阻断充电单元，耦接至该电压源与该第一P型金属氧化物半导体，提供一逆偏压以控制该电压源在该静电电压产生时维持零电位，该阻断充电单元包括一第一二极管与一阻抗元件，其中该第一二极管耦接于该第一P型金属氧化物半导体与该电压源之间，且该阻抗元件为一高阻抗电阻或一第二P型金属氧化物半导体；以及一输出单元，耦接至该第二N型金属氧化物半导体；其中该静电电压受到该阻断充电单元的影响，不提高该第二N型金属氧化物半导体导通的阻抗，当该阻抗元件为该高阻抗电阻时，该高阻抗电阻耦接于该电压源与该第一P型金属氧化物半导体的漏极之间，当该阻抗元件为该第二P型金属氧化物半导体时，该第二P型金属氧化物半导体的栅极耦接至该第一P型金属氧化物半导体的栅极，该第二P型金属氧化物半导体的源极耦接至该电压源，该第二P型金属氧化物半导体的漏极耦接至该第一P型金属氧化物半导体的漏极。