用于高压半导体功率器件的边缘终接的新型及改良型结构

摘要

本发明提供了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，并且具有一个有源元件区和一个边缘终接区，其中边缘终接区包括一个用场拥挤衰减填充物填充的宽沟槽，以及一个掩埋在半导体衬底顶面下方的掩埋场板，并且所述的掩埋场板还在场拥挤场的顶部上方横向延伸，以便使峰值电场横向远离有源元件区。在一个特定实施例中，场拥挤衰减填充物包括填充在宽沟槽中的氧化硅。

主权项

一种设置在半导体衬底中，并且具有一个有源元件区和一个边缘终接区的半导体功率器件，其特征在于，其中：边缘终接区包括一个用场拥挤衰减填充物填充的宽沟槽，在有源元件区和边缘终接区之间的柱型结附近；以及一个掩埋场板，在边缘终接区中的半导体衬底的顶面下方，该掩埋场板的一部分填埋在宽沟槽顶部之中且被宽沟槽顶部的场拥挤衰减填充物填埋在宽沟槽顶部下方，掩埋场板在宽沟槽中远离有源元件区横向延伸；以及掩埋场板所包括的一个垂直部分，沿宽沟槽的内侧壁垂直向下延伸，以便连接到掩埋在宽沟槽中的掩埋场板，掩埋场板填充在宽沟槽中的部分的宽度小于宽沟槽的宽度，使峰值电场横向远离有源元件区。