半导体器件形成方法

摘要

一种半导体器件形成方法，包括：提供半导体基底，其包括第一区域、第二区域、位于第一区域和第二区域之间的第三区域，以及分别位于所述三个区域表面的导电结构；在半导体基底上形成第一应力衬垫层和第二应力衬垫层，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层在第三区域的导电结构表面形成有凸起；在应力层上形成介质层；刻蚀所述介质层，形成分别位于第一区域和第二区域的第二凹槽，以及暴露凸起的第一凹槽；在所述第二凹槽内形成填充层；以所述填充层为掩膜，去除所述第一凹槽内的凸起；去除所述第二凹槽中的填充层，刻蚀所述第一凹槽、第二凹槽内的应力层，形成分别暴露第一区域、第二区域、第三区域半导体基底的通孔。本发明避免了漏电流，提高了半导体器件性能。

主权项

一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括第一区域、第二区域、位于第一区域和第二区域之间的第三区域，以及分别位于所述三个区域表面的导电结构；在半导体基底上形成应力层，所述应力层包括覆盖第一区域和部分第三区域的第一应力衬垫层，以及覆盖第二区域和部分第三区域的第二应力衬垫层，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层在第三区域的导电结构表面重叠，形成凸起，且所述第二应力衬垫层位于第一应力衬垫层上方，所述第一应力衬垫层是压应力层，所述第一应力衬垫层的双层堆叠结构，包括依次形成的氮化硅层和二氧化硅层，所述第二应力衬垫层是张应力层，所述第二应力衬垫层的材料是氮化硅，所述第一应力衬垫层与第二应力衬垫层的厚度相同；形成覆盖所述应力层的介质层；刻蚀所述介质层，形成分别位于第一区域和第二区域的第二凹槽，以及暴露所述凸起的第一凹槽；在所述第二凹槽内形成填充层；以所述填充层为掩膜，采用刻蚀工艺去除所述第一凹槽内的凸起，所述刻蚀工艺对二氧化硅和氮化硅的刻蚀选择比为1：10‑1：25；去除所述第二凹槽中的填充层，刻蚀所述第一凹槽、第二凹槽内的应力层，直至形成分别暴露第一区域、第二区域、第三区域半导体基底的通孔。