湿法刻蚀装置及其刻蚀方法

摘要

一种湿法刻蚀装置，包括：刻蚀槽；膜厚测试装置，采用光学测量模式，并可对位于所述刻蚀槽中的待刻蚀晶圆之指定待测位置进行定位，且对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的膜厚在刻蚀过程中进行实时监控；刻蚀控制装置，具有预定设置的预设膜层厚度，并可将所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行监控的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度进行比较。本发明所述的湿法刻蚀装置克服了由于刻蚀溶液溶度变化带来的刻蚀速率变化的影响，以及前工艺带来的晶圆之间膜厚不一致的影响，使每批次晶圆的刻蚀后膜厚都与设定值一致，从而达到精确控制刻蚀量的目的并且可以改善不同批次的晶圆之间的刻蚀量的不稳定性。

主权项

一种湿法刻蚀装置，其特征在于，所述湿法刻蚀装置包括：刻蚀槽，所述刻蚀槽容置所述刻蚀溶液；膜厚测试装置，所述膜厚测试装置采用光学测量模式，并可对位于所述刻蚀槽中的待刻蚀晶圆之指定待测位置进行定位，且对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置的膜厚在刻蚀过程中进行实时监控；刻蚀控制装置，所述刻蚀控制装置具有预定设置的预设膜层厚度，并可将所述膜厚测试装置对所述待刻蚀晶圆之指定待测位置进行监控的实际膜厚和所述预定设置的预设膜层厚度进行比较；其中，所述膜厚测试装置以大于1Hz的固定频率的脉冲信号量测所述待刻蚀晶圆之指待测位置的膜厚。