| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管的电学性能，提高显示装置显示图像的画质。本发明提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源漏极、半导体层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层、位于半导体层与源漏极之间的刻蚀阻挡层，以及位于所述源漏极与栅极绝缘层之间的第一金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层绝缘设置。 | ||
| 申请公布号 | CN102956715B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201210434914.X | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔;王刚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I;G09F9/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源漏极、半导体层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层、位于半导体层与源漏极之间的刻蚀阻挡层，以及位于所述源漏极与栅极绝缘层之间的第一金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层绝缘设置。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||