半导性石墨烯结构、用于形成此结构之方法及包含此结构之半导体装置;SEMICONDUCTING GRAPHENE STRUCTURES, METHODS OF FORMING SUCH STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING SUCH STRUCTURES

摘要

本发明揭示一种半导性石墨烯结构，其可包含石墨烯材料及位于该石墨烯材料之至少一部分上方之石墨烯晶格匹配材料，其中该石墨烯晶格匹配材料具有在该石墨烯材料之晶格常数或键长之倍数的约±5%内之晶格常数。该半导性石墨烯结构可具有至少约0.5eV之能带隙。本发明亦揭示一种改质石墨烯材料之能带隙之方法，其可包含在石墨烯材料之至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，该石墨烯晶格匹配材料具有在该石墨烯材料之晶格常数或键长之倍数的约±5%内之晶格常数。