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经营范围
发明名称
形成半导体图案以及半导体层的方法;METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR PATTERN AND SEMICONDUCTOR LAYER
摘要
本发明提供形成包含减少错位缺陷的半导体图案的方法以及使用此等方法形成的装置。所述方法可包含在基板上形成氧化物层,以及在氧化物层以及基板中形成凹槽。所述方法可更包含在凹槽中形成磊晶生长半导体图案,所述磊晶生长半导体图案接触基板的在氧化物层与基板之间的界面处的侧壁,且界定在所述基板中的所述凹槽中的空隙的上表面。
申请公布号
TW201513177
申请公布日期
2015.04.01
申请号
TW103133946
申请日期
2014.09.30
申请人
三星电子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
王 伟俄 WANG, WEI-E;罗德尔 麦克S RODDER, MARK S.;保文 罗伯特C BOWEN, ROBERT C.
分类号
H01L21/205(2006.01);H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址
南韩 KR
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