| 摘要 |
在具备电阻变化型记忆体单元之半导体装置中，实现有效率的页面模式。半导体装置具备：字元线、复数之位元线、对应于字元线和复数之位元线之交点位置而被配置，一端分别与复数之位元线连接的复数之电阻变化型记忆体单元、分别与复数之位元线连接之复数之资料控制电路，和指令控制电路。在此，指令控制电路系因应第1指令之输入，使字元线活性化，并因应第2指令之输入，在被选择出之1个以上之资料控制电路分别保持资料，并因应第3指令之输入，将保持于被选择出之1个以上之资料控制电路的资料同时写入至分别对应的电阻变化型记忆体单元。 |
