发明名称 |
三维双埠位元细胞、半导体记忆体,以及半导体制造方法;THREE-DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR |
摘要 |
本发明提供一种三维双埠位元细胞,其包括一第一部份和一第二部份。该三维双埠位元细胞之该第一部份系设置于一第一级上,并包括复数埠元件。该三维双埠位元细胞之该第二部份系设置于一第二级上,并包括一锁存器。该第二级系藉由至少一贯孔来垂直地堆叠于该第一级。 |
申请公布号 |
TW201513115 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
申请号 |
TW103115919 |
申请日期 |
2014.05.05 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
詹伟闵 CHAN, WEI MIN;吴威震 WU, WEI CHENG;陈炎辉 CHEN, YEN HUEI |
分类号 |
G11C11/413(2006.01);G11C11/4193(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |