发明名称 三维双埠位元细胞、半导体记忆体,以及半导体制造方法;THREE-DIMENSIONAL DUAL-PORT BIT CELL, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR
摘要 本发明提供一种三维双埠位元细胞,其包括一第一部份和一第二部份。该三维双埠位元细胞之该第一部份系设置于一第一级上,并包括复数埠元件。该三维双埠位元细胞之该第二部份系设置于一第二级上,并包括一锁存器。该第二级系藉由至少一贯孔来垂直地堆叠于该第一级。
申请公布号 TW201513115 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW103115919 申请日期 2014.05.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 詹伟闵 CHAN, WEI MIN;吴威震 WU, WEI CHENG;陈炎辉 CHEN, YEN HUEI
分类号 G11C11/413(2006.01);G11C11/4193(2006.01) 主分类号 G11C11/413(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW