| 主权项 |
一种用于增加电阻变化记忆体装置中的热绝缘之设备，包括：相位变化记忆体(PCM)装置的储存结构，该储存结构具有硫属材料；第一电极，具有第一导电材料，该第一电极具有与该储存结构的第一表面直接耦合的第一表面；第二电极，具有第二导电材料，该第二电极具有与配置成与该储存结构的该第一表面相反的该储存结构的第二表面直接耦合的第一表面；第一介电膜，具有第一介电材料，该第一介电膜与配置成与该第一电极的该第一表面相反的该第一电极的第二表面直接耦合；以及第二介电膜，具有第二介电材料，该第二介电膜与配置成与该第二电极的该第一表面相反的该第二电极的第二表面直接耦合。
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